风驰电车 章节目录 第87章 二下仙居(第1页/共2页)


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    “苏工？有事？”程自豪停下脚步。

    “嗯，你和华东院的刘琼联系一下，就说我立刻要过去考察。”

    程自豪大喜，“真的？”

    这种情况下，苏权去仙居考察，那只有一个可能，他要上备用方案了。

    如果运河真的一堵就是一两个月，这段时间里利用起来的话，完全可以将RA2电机的优化做个七七八八。

    “苏工，我们明天早晨走？”程自豪征询对方意见

    “我不是说了么，立刻！我们不知道运河什么时候通，所以现在要争分夺秒。”

    “明白！”

    程自豪立刻打电话给刘琼，后者听了，大感惊喜。

    原本已经不抱希望了，虽然被列入备用供应商名单，但这个么，也是聊胜于无的安慰，短期内是没订单了。

    刘琼倒是有心想去推销自己的产品。

    奈何在华东电机研究院实在是有点先天不足，技术研究力量无懈可击，但是在营销推广上连拉胯都够不上，根本就是没有。

    想来也是，一个吃财政饭的全国有研究院要推销员干什么？

    现在他们吃到了苦头，但也无法改变，每年的预算报上去，营销费用都是被打回的。

    院里领导层无奈，只好亲自上阵，这不连副总工程师刘琼也被分配到了任务，大家虽然不情愿，但也知道这是为了工作了一辈子的研究院，只好硬着头皮上。

    但推销也是讲究天赋的，说到底就是胆大心细脸皮厚，研究院这帮工程师除了心细外，和另外两条隔着十万八千里。

    程自豪当初在研究院参观时就感受到了这点。

    RA2是毋庸置疑的先进，可当他问起总负责人时，对方只是推着眼睛嘿嘿憨笑，要不就是甩出一堆非常让人头秃的语句。

    听着让人云山雾罩，但实际琢磨起来却发现这些话的信息密度极高，属于句句干货，比新疆的囊都干……

    比如关于碳化硅的知识，程自豪原本只是知道点皮毛，但那位秃头总负责人却在五分钟之内讲得明明白白。

    Sic（碳化硅）-那位总负责喜欢这样称呼，其物理特性相当优良，在低损耗和高耐压的击穿电场强度、与大功率操作相关的导热性、与耐受性的熔点，与高速超过载相关的饱和速度，都优于单纯的硅。

    而后者是IGBT的主要材料。

    这也是碳化硅作为理想开关材料的基础，是处理大功率低损耗、高温高速驱动的优秀元件。

    反过来半导体开关就不甚理想，因为硅的物理特性，其每次开关都会有损耗产生。

    开关接通后电流流动时产生的损耗，被称为“通导损耗”，每次开关时产生的损耗被称为“开关损耗”。

    首先，在电导通损耗方面，SiC在击穿电场强度方面比硅强约10倍，因此，在确保耐压的同时，当电流流动时，作为电阻的漂移层的厚度可以约为十分之一。这大大减少了导通损耗。

    电装SiC技术的特点。被称为“REVOSIC（R）”，可实现高质量、低损耗优势。

    碳化硅晶体的制造，并不是采用常见的方法，而是被称为“生长”。

    就和农民种地一样，先把一粒晶种放入培养基中，然后使其快速增长复制。

    飞机发动机中的耐高温单晶硅叶片也是通过这种方法制作出来的。

    但显而易见，这种半主动的“生长”方式，对成品率的影响很大。

    这也是为什么碳化硅比IGBT要贵很多的原因，后者是完全的大工业生产，全流程可控，成本自然可以控制得很好。

    当然现在技术界也在革新，目前主流采用低缺陷 R-Kennedy晶圆制作发，尤其是其采用的RAF代表重复的 A-Face生长方法，通过重复不同方向的晶体生长，通过减少缺陷的技术来生长高质量的 SiC晶体。

    使用这种方法除了高质量外，还可以实现大面积的高产量。

    这也是这两年碳化硅逐步进入民用领域的前提，和IGBT比依然高昂，但不再是从前那样想都不敢想的情况

    随后，现在的电装碳化硅沟槽栅极MOSFET作为支持低损耗的技术。沟槽栅极结构允许窄单元间距，并通过排列多个 SiC单元来实现低导通电阻和低导通损耗。

    这已经是程自豪绞尽脑汁之后翻译出来的玩意，原话就更不好理解了，里面夹杂着大量的英语、日语专用词汇，间或还有个把听起来可能是德语的语言。

    总之，这帮人技术方面绝对ok，对外营销，好了，别说营销就是沟通都谈不上。

    刘琼在里面算是个异类，可就是她无法胜任推广工作，知识分子的清高感，让她始终无法摆正自己的位置。

    程自豪在感慨，这大概也是改革的目的之一吧。

    如果给华东院配上几个厉害的销售，并且给足资源，不说打败KUH，至少也要让后者感到如坐针毡。

  
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